Fundamentals of Modern VLSI Devices

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Sprache: Englisch

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Beschreibung

A thoroughly updated third edition of this classic text, perfect for practical transistor design and in the classroom.

Über den Autor

Yuan Taur is a Distinguished Professor of Electrical and Computer Engineering at the University of California, San Diego, having previously worked at IBM's T. J. Watson Research Center, New York. He is an IEEE Fellow.

Inhaltsverzeichnis

Prefaces; Physical constants and unit conversions; List of symbols; 1. Introduction; 2. Basic device physics; 3. p-n junctions and metal-silicon contacts; 4. MOS capacitors; 5. MOSFETs: long channel; 6. MOSFETs: short channel; 7. Silicon-on-insulator and double-gate MOSFETs; 8. CMOS performance factors; 9. Bipolar devices; 10. Bipolar device design; 11. Bipolar performance factors; 12. Memory devices; References; Index.

Details

Erscheinungsjahr:	2021
Fachbereich:	Mechanik & Akustik
Genre:	Importe , Physik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Buch
Inhalt:	Gebunden
ISBN-13:	9781108480024
ISBN-10:	1108480020
Sprache:	Englisch
Einband:	Gebunden
Autor:	Taur, Yuan Ning, Tak H.
Hersteller:	Cambridge University Press
Verantwortliche Person für die EU:	Libri GmbH, Europaallee 1, D-36244 Bad Hersfeld, gpsr@libri.de
Maße:	250 x 175 x 38 mm
Von/Mit:	Yuan Taur (u. a.)
Erscheinungsdatum:	02.12.2021
Gewicht:	1,243 kg